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Daten- und Ladekabel für USB-C fähige Geräte. Unterstützt bis zu 10 Gbit/s Datentransfer. Das Kabel hat eine Länge von 1 m und ist Nylon ummantelt. Neuestes USB3.1 Typ C: Unterstützt bis zu 10 Gb/s Transfer. 56 kOhm Innenwiderstand für sicheres Schnellladen mit 2,4 A. Dünner ist besser: Einzigartige hochwertige 22-AWG-Litze für Strom und Daten, 0,08 mm dünn für bessere Leitfähigkeit und Flexibilität, superschnelles Laden und überlegene Datentransferraten im Vergleich zu anderen führenden Kabelanbietern. 100 % EMI (Electro Magnetic Interference) Abschirmung: Verzwirbelte Doppellitze bietet vollständigen Schutz vor externen elektromagnetischen Störsignalen, für ein stabiles Signal und störungsfreie Datenübertragung. Integrierte Aluminum-Nylon-Isolierung: Verwendung neuester Aluminium-Ummantelung, in Kombination mit einem internen Schutz aus flexiblen Kunststoff, außen zusätzlich mittels Nylon-Geflecht isoliert, effektiver Schutz vor Verschmutzung, und Schäden durch Verbiegen und Knicken. Die nutzerfreundliche Stufenkonstruktion mit 1,5 mm Höhe erlaubt auch eine Anbindung an Geräte mit dicken Schutzhüllen. Universelle USB-C-Kompatibilität: Kann mit allen USB-C unterstützenden Geräten verwendet weren, unter anderem MacBook 12”, New MacBook Pro, Google ChromeBook Pixel, Nokia N1 Tablet, Nintendo Switch, LG G5/ G6/ V20, Nexus 5X/ 6P, Samsung Galaxy S8/ S8 Plus, Lenovo Zuk Z1, HTC10, Huawei P9/ Honor 8/ Honor V9/ Mate 9, Lumia 950/ 950XL, Sony XZ etc. Kabeltyp: USB-C auf USB 3.0 A Kabel Länge: 1 m Kompatibilität: u.a. LG G5/ G6, Nexus 5X/ 6P, Samsung Galaxy S8, HUAWEI P9, New MacBook Pro, Pixel Datentransfer: bis zu 10 Gbit/s

Dieser kompakte Adapter passt perfekt in den miniHDMI Port Deines neuen Pi Zero rein. Damit kannst Du ein HDMI Kabel mit "normalem" HDMI Stecker an Deinen Pi Zero anschließen - um beispielsweise den Pi Zero mit Deinem Fernseher zu verbinden, ... dieser Adapter ist einfach essentiell für alle die mit dem Pi Zero starten! Tipp: spare mit dem Pi Zero Essentials Kit gegenüber dem Einzelkauf der Adapter, der Pin-Header und des Pi Zero! Artikelnummer: a-minihdmi2hdmi-adapter EAN: 0608603902396 Herstellerbezeichnung: a-minihdmi2hdmi-adapter

Die Schutzgaskammer SGC500 ist ein seperates Maschinenbauteil für Laserdrahtauftragschweißen Mit der tragbaren Schutzgaskammer SGC500 bietet coaxworks ein seperates Maschinenbauteil für CNC- und Roboter-basierte Laser-Draht-Schweißprozesse. Mittels einer flexiblen Folienhaube und einem Zusatzadapter am Laserschweißkopf lässt sich eine hochreine Schutzgasatmosphäre einrichten. Bodenseitige Anschlüsse für eine Durchlaufflutung mit inertem Argon-Gas ermöglichen einen stabilen Sauerstoffgehalt von unter 20 ppm bereits nach 20 Minuten. Die geeignete bearbeitbare Bauteilgröße liegt bei circa 150x150x150 mm³. Die Schutzgaskammer SGC500 besitzt folgende integrierte technische Besonderheiten: > eine Handhabungsklappe an der Frontseite zur schnellen Kammerbestückung bei installierter Folienhaube, > zwei frontseitige Handschuheingriffe für die Bauteilhandhabung im gefluteten Zustand, > eine herausnehmbare T-Nutenplatte zur definierten Aufspannung von Bauteilen, > drei Sichtfenster für die Prozessbeobachtung von außen und > ein oberseitiges Schnellspannsystem zur definierten Befestigung der Folienhaube.

Gesinterte PTFE-Platten und 3D-Formteile von POREX Virtek™ ermöglichen die gleichmäßige Beleuchtung von Oberflächen. Verbessern Sie die Beleuchtungsleistung mit reflektierenden Medien Für Instrumentierungs- und Prüfsysteme bieten unsere gesinterten PTFE-Platten und 3D-Formteile von POREX Virtek™ multidirektionales Licht, das ideal für Bildverarbeitungssysteme und die Integration von Kugeln geeignet ist, bei denen eine gleichmäßige Beleuchtung von Oberflächen mit unterschiedlichen Geometrien unabdingbar ist. POREX Virtek™ PTFE ist mit hervorragendem Reflexionsvermögen konstruiert und bietet folgende Vorteile: - Minimiert Blendung mit seiner 100 % lambertianischen Reflexion von Licht. - Selbstunterstützend bei Handhabung – Erfordert kein Stützgewebe für die Handhabung. - Unterstützt vielseitige Montagemöglichkeiten – Zum Befestigen des POREX Virtek™ PTFE an der Beleuchtungs- oder Gehäusestruktur können Heißverklebungen oder Vibrationsschweißen verwendet werden.

Um Gebäude & andere Objekte vor einem Blitzeinschlag zu schützen, sind diese mit einer Fangeinrichtung, Ableitungsanlage und Erdungsanlage auszustatten. Wir bei STAMM unterstützen Sie bei der Planung und Umsetzung dieses Projekts.

Die Bildung von ohmschen Kontakten auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen spielt eine Schlüsselrolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der mechanischen Festigkeit. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile mit unserer OCF-Technologie: • Homogene Prozessergebnisse durch Spot-Scanning • Flexible Programmierung und großer Parameterbereich für Testmuster • Bildet ohmsche Ni-Silizid-Grenzflächen • Machbarkeitsstudien und Rezepturentwicklung mit Ihren Mustern in unserem Labor • Hohe Flexibilität - perfekt geeignet für F&E-Ansätze • Prototyping und Co-Entwicklung möglich - Rezepturentwicklung für Ihre Metall-Stacks • 200 mm Waferbearbeitung - besonders geeignet für dünne Wafer Zusätzliche technische Informationen: • Laser-Sensor-Paket • Logfile-Funktion / Zugriffsrechteverwaltung • Standard-Waferdicke: 100 - 500 μm • Eignung für Wafer auf Glasträger Bearbeitbare Materialien sind: • Silizium (Si) • Siliziumkarbid (SiC) Einsatzgebiet: • Halbleiterindustrie • Power Devices Der Markt für Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) verzeichnet ein zweistelliges Wachstum, was auf die Vorteile von SiC bei der Steigerung der Leistungseffizienz und der Minimierung von Energieverlusten in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen und Hybridfahrzeugen, Stromversorgungen und Solarwechselrichtern zurückzuführen ist. Die Bildung von ohmschen Kontakten auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen spielt eine Schlüsselrolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der mechanischen Festigkeit des Bauelements. Traditionell wurden für die OCF auf der Rückseite von SiC-Wafern thermische Annealingprozesse mit Blitzlampen mit Millisekunden-Pulsen verwendet. Da für diesen Prozess Temperaturen von über 1000 °C erforderlich sind, die sich nachteilig auf die Strukturen auf der Vorderseite der Wafer auswirken können, sind Blitzlampen auf Waferdicken von 350 Mikrometern und mehr beschränkt. Da die Industrie nun zu dünneren SiC-Leistungsbauelementen übergeht, um die elektrische Leistung und das Wärmemanagement zu verbessern, werden neue Annealingverfahren benötigt, die diese thermischen Auswirkungen minimieren. Das Laserannealing mit UV-Nanosekundenpulsen bietet die hohe Präzision und Wiederholbarkeit, die für OCF auf der Rückseite von SiC-Wafern erforderlich ist, und stellt gleichzeitig sicher, dass die Wafervorderseite nicht thermisch beschädigt wird, was die Leistung der Bauelemente beeinträchtigen kann.